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非晶硅(a-Si TFT)與低溫多晶硅(LTPS TFT)的區(qū)別

時(shí)間:2004-09-24
關(guān)鍵詞:晶硅 TFT 低溫 多晶 LTPS TFT 區(qū)別

什么是低溫多晶硅:

    低溫多晶硅LTPS是Low Temperature Ploy Silicon的縮寫,一般情況下低溫多晶硅的制程溫度應(yīng)低于攝氏600度,尤其對LTPS區(qū)別于a-Si制造的制造程序“激光退火”(laser anneal)要求更是如此。與a-Si相比,LTPS的電子移動(dòng)速度要比a-Si快100倍,這個(gè)特點(diǎn)可以解釋兩個(gè)問題:首先,每個(gè)LTPS PANEL 都比a-Si PANEL反應(yīng)速度快;其次,LTPS PANEL 外觀尺寸都比a-Si PANEL小。下面是LTPS與a-Si 相比所持有的顯著優(yōu)點(diǎn):
1、 把驅(qū)動(dòng)IC的外圍電路集成到面板基板上的可行性更強(qiáng);
2、 反應(yīng)速度更快,外觀尺寸更小,聯(lián)結(jié)和組件更少;
3、 面板系統(tǒng)設(shè)計(jì)更簡單;
4、 面板的穩(wěn)定性更強(qiáng);
5、 解析度更高,

激光退火:

   

    p-Si 與 a-Si的顯著區(qū)別是LTPS TFT在制造過程中應(yīng)用了激光照射。LTPS制造過程中在a-Si層上進(jìn)行了激光照射以使a-Si結(jié)晶。由于封裝過程中要在基板上完成多晶硅的轉(zhuǎn)化,LTPS必須利用激光的能量把非結(jié)晶硅轉(zhuǎn)化成多晶硅,這個(gè)過程叫做激光照射。

電子移動(dòng)性:

   


    a-Si TFT的電子移動(dòng)速率低于1 cm2/V.sec,同時(shí)驅(qū)動(dòng)IC需要較高的運(yùn)算速率來驅(qū)動(dòng)電路。這就是為什么a-Si TFT不易將驅(qū)動(dòng)IC集成到基板上。相比之下,p-Si電子的移動(dòng)速率可以達(dá)到100 cm2/V.sec,同時(shí)也更容易將驅(qū)動(dòng)IC集成到基板上。結(jié)果是,首先由于將驅(qū)動(dòng)IC、PCB和聯(lián)結(jié)器集成到基板上而降低了生產(chǎn)成本,其次使產(chǎn)品重量更輕、厚度更薄。

解析度:

    由于p-Si TFT 比傳統(tǒng)的a-Si小,所以解析度可以更高。  

穩(wěn)定性:

    p-Si TFT的驅(qū)動(dòng)IC合成在玻璃基板上有兩點(diǎn)好處:首先,與玻璃基板相連接的連接器數(shù)量減少,模塊的制造成本降低;其次,模塊的穩(wěn)定性將得以戲劇性的升高。