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共軛聚合物中的結(jié)構(gòu)缺陷研究

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共軛聚合物發(fā)光缺陷結(jié)構(gòu) 穩(wěn)定性

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所屬學(xué)科：

結(jié)構(gòu)表征

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共軛聚合物是由大量重復(fù)基元通過化學(xué)鍵連接的一維體系，即使在非常精細(xì)的合成條件下，少量的結(jié)構(gòu)缺陷也是難免的。這些結(jié)構(gòu)缺陷，可能作為電子或空穴的勢(shì)阱影響材料的載流子遷移性質(zhì)；也可能作為激發(fā)能量的捕獲中心影響材料的發(fā)光性質(zhì)；更重要的影響，缺陷可能是聚合物降解的誘導(dǎo)中心，影響材料的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。而且由于不同有效共軛長(zhǎng)度之間的能量傳遞，少量的缺陷在共軛聚合物中可能被放大很多倍，這一現(xiàn)象在薄膜中更加突出。因此對(duì)共軛聚合物結(jié)構(gòu)缺陷的研究，包括缺陷成因與控制、缺陷密度的分析方法、缺陷的分子結(jié)構(gòu)與電子結(jié)構(gòu)特征等，對(duì)于高品質(zhì)材料的研發(fā)具有重要的意義。

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2007-11-27 17:48:43

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liuyanme 2008-12-26 10:52:47

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