中國(guó)科大劉世勇教授團(tuán)隊(duì) Angew:基于精準(zhǔn)高分子化學(xué)的單組分極紫外光刻膠
2024-09-29 來(lái)源:高分子科技
在過(guò)去幾十年中,光刻技術(shù)不斷進(jìn)步,以實(shí)現(xiàn)更小的臨界尺寸,推動(dòng)集成電路向更高水平的集成發(fā)展。極紫外(EUV)光刻已成為制造亞10 nm特征的最先進(jìn)技術(shù),但其材料面臨重大挑戰(zhàn)。盡管化學(xué)放大光刻膠和聚甲基丙烯酸甲酯是EUV光刻的主要材料,但它們的性能未能達(dá)到預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)。在同時(shí)實(shí)現(xiàn)分辨率、線邊粗糙度(LER)和靈敏度需求的光刻膠開(kāi)發(fā)上,仍然存在顯著挑戰(zhàn)。
圖1. (a) 自降解聚合物在電子束或極紫外光刻中的降解和交聯(lián)機(jī)制。(b) 通過(guò)迭代增長(zhǎng)法合成的自降解聚合物光刻膠顯示出更高分辨率和更低的線邊緣粗糙度。
圖4. 刻蝕抗性評(píng)估
原文鏈接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202415588
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