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上科大劉巍教授課題組 Nano Lett.: 基于穩(wěn)定金屬絲開(kāi)關(guān)的高性能柔性聚合物憶阻器
2022-08-28  來(lái)源:高分子科技

  隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等新信息技術(shù)的快速發(fā)展,計(jì)算與存儲(chǔ)分離的馮·諾依曼結(jié)構(gòu)在功耗和運(yùn)行速度方面已難以滿(mǎn)足需求。模擬人腦突觸結(jié)構(gòu)、發(fā)展神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算被認(rèn)為是克服馮·諾依曼瓶頸更為有效的計(jì)算體系結(jié)構(gòu)。基于金屬絲開(kāi)關(guān)的有機(jī)聚合物憶阻器被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)柔性非易失性存儲(chǔ)以及類(lèi)神經(jīng)計(jì)算的最佳候選之一。然而,該類(lèi)憶阻器在工作過(guò)程中導(dǎo)電金屬絲的不穩(wěn)定性極大的限制了其進(jìn)一步的發(fā)展和實(shí)際應(yīng)用。


  基于此,上海科技大學(xué)物質(zhì)學(xué)院劉巍教授團(tuán)隊(duì)提出,通過(guò)在聚合物PEI,聚乙烯亞胺)介質(zhì)層中預(yù)先摻入活性金屬離子Ag+,AgClO4),可引導(dǎo)幫助形成更為穩(wěn)定可靠的金屬絲通路,防止其在循環(huán)過(guò)程中自發(fā)斷開(kāi),極大地提升了憶阻器的循環(huán)穩(wěn)定性。優(yōu)化后的Ag/PEIAgClO4/Pt憶阻器可以在更小的工作電壓下實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)久且穩(wěn)定的循環(huán),其開(kāi)關(guān)比始終保持在約103。更為引人注目的是,不同于Ag/PEI /Pt體系的易失性,Ag/PEIAgClO4/Pt體系即使是在斷開(kāi)外部電壓后,其阻值也仍可保持超過(guò)7000 s不發(fā)生改變,這為非易失性存儲(chǔ)帶來(lái)了希望。除此之外,該聚合物憶阻器還可在彎折狀態(tài)或是經(jīng)歷過(guò)數(shù)百次彎折后仍表現(xiàn)出穩(wěn)定的阻值切換性能,有望應(yīng)用于柔性存儲(chǔ)計(jì)算器件領(lǐng)域。 


1. PEI基憶阻器工作機(jī)理示意圖 


2. 材料表征及Ag/PEI- AgClO4/Pt器件制備 


3. Ag/PEI /Pt體系與Ag/PEI- AgClO4/Pt體系的阻態(tài)切換性能對(duì)比 


4. Ag/PEI- AgClO4/Pt柔性器件性能表征 


5. Ag/PEI- AgClO4/Pt器件阻值轉(zhuǎn)換機(jī)理示意圖


  以上相關(guān)工作以High-Performance Flexible Polymer Memristor Based on Stable Filamentary Switching為題發(fā)表在國(guó)際知名學(xué)術(shù)期刊《Nano Letters》上DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c02765。論文通訊作者為上?萍即髮W(xué)物質(zhì)科學(xué)與技術(shù)學(xué)院劉巍教授,第一作者為課題組博士研究生張?chǎng)嗡?/span>。上?萍即髮W(xué)為第一完成單位。


  原文鏈接:https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acs.nanolett.2c02765

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