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  缺電子構(gòu)筑基元在n型聚合物的開(kāi)發(fā)中起到至關(guān)重要的作用。但是目前在n型聚合物的開(kāi)發(fā)中，可供選擇的缺電子構(gòu)筑基元的種類(lèi)相對(duì)較少，特別是具有優(yōu)異溶解性的強(qiáng)缺電子構(gòu)筑基元更為稀缺，這嚴(yán)重制約了n型聚合物半導(dǎo)體材料的發(fā)展。酰亞胺基團(tuán)不僅具有強(qiáng)的吸電子能力，在其氮原子上引入烷基鏈還可以賦予分子優(yōu)異的溶解性和溶液加工性，因此在受體構(gòu)筑基元的開(kāi)發(fā)中被廣泛應(yīng)用。南方科技大學(xué)材料科學(xué)與工程系郭旭崗教授團(tuán)隊(duì)一直致力于酰亞胺基受體構(gòu)筑基元的設(shè)計(jì)與合成，報(bào)道了一系列原創(chuàng)性的工作（Angew. Chem. Int.Ed. 2017, 56, 15304.; Angew. Chem. Int. Ed. 2017, 56, 9924.; J. Am. Chem. Soc. 2018, 140, 6095.; J. Am. Chem. Soc. 2020, 142, 4329.; J. Am. Chem. Soc. 2021, 143, 1539.; Acc. Chem. Res. 2021, 54, 20, 3804.; Nature 2021, 599, 67.）。

圖2. C4FOI（a, b）和C4FCNI（c, d）的單晶結(jié)構(gòu)。

圖3. （a）芴酮基酰亞胺單體的合成路線(xiàn)，（b）芴酮基酰亞胺聚合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)。

圖4. 聚合物PFOI-V（a, c）和PFOI-Tz（b, d）有機(jī)薄膜晶體管（OTFTs）的輸出曲線(xiàn)（a，b）和轉(zhuǎn)移曲線(xiàn)（c, d）。

  在該工作中，郭旭崗教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)酰亞胺化缺電子的芴酮單元及其衍生物，開(kāi)發(fā)了兩種具有優(yōu)異溶解性和高度平面性的強(qiáng)缺電子基元FOI和FCNI，并基于它們開(kāi)發(fā)了一系列新型的n型聚合物半導(dǎo)體材料。該工作不僅豐富了受體構(gòu)筑基元的化學(xué)結(jié)構(gòu)，還為新型受體構(gòu)筑基元的開(kāi)發(fā)提供了一種新的設(shè)計(jì)思路。該工作同時(shí)得到了國(guó)家納米中心魏志祥教授和張建齊老師的大力支持。

  原文鏈接：https://doi.org/10.1002/anie.202205315