“碳基半導(dǎo)體界面科學(xué)與工程”學(xué)術(shù)討論將于11月2日在蘇州召開
2010-10-13 來源:香山科學(xué)會議
香山科學(xué)會議是由科技部(前國家科委)發(fā)起,在科技部和中國科學(xué)院的共同支持下于1993年正式創(chuàng)辦,相繼得到國家自然科學(xué)基金委員會、中國科學(xué)院學(xué)部、中國工程院、教育部、解放軍總裝備部、前國防科工委和中國科學(xué)技術(shù)協(xié)會部門的支持與資助。香山科學(xué)會議是我國科技界以探索科學(xué)前沿、促進(jìn)知識創(chuàng)新為主要目標(biāo)的高層次、跨學(xué)科、小規(guī)模的常設(shè)性學(xué)術(shù)會議。會議實(shí)行執(zhí)行主席負(fù)責(zé)制。會議以評述報(bào)告、專題報(bào)告和深入討論為基本方式,探討科學(xué)前沿與未來。
以共軛小分子/聚合物、石墨烯、富勒烯和碳納米管等為代表的碳基半導(dǎo)體材料和器件已形成一個(gè)由化學(xué)、物理、信息電子科學(xué)和材料科學(xué)等諸多學(xué)科相互交叉的新興研究領(lǐng)域,是目前國際上極具挑戰(zhàn)性的重要研究方向,也是納米科學(xué)研究中最為活躍的研究領(lǐng)域之一,特別是在能源的高效轉(zhuǎn)換、存儲和利用等方面展現(xiàn)出越來越重要的應(yīng)用前景。碳基半導(dǎo)體器件的性能主要取決于器件中關(guān)鍵界面的結(jié)構(gòu)和特性,特別是界面的電荷過程、光電轉(zhuǎn)換過程及化學(xué)行為?v觀碳基半導(dǎo)體材料和器件的研究歷程,每一次在界面特性研究中所取得的進(jìn)展,都給其器件應(yīng)用帶來新的突破和機(jī)遇。然而,碳基材料界面的基礎(chǔ)問題及界面性能調(diào)控的研究仍主要處于基礎(chǔ)研究階段,還有許多重大的科學(xué)問題亟待解決,而且這些問題決定和制約著碳基半導(dǎo)體材料和器件今后的實(shí)際應(yīng)用。因此,從界面科學(xué)與工程的角度,圍繞碳基材料界面的基礎(chǔ)科學(xué)問題、各種碳基半導(dǎo)體器件中的實(shí)際界面問題、以及界面性能調(diào)控等進(jìn)行研究,將會有助于碳基半導(dǎo)體器件的完善,加速實(shí)現(xiàn)多種碳基半導(dǎo)體器件的實(shí)際應(yīng)用,其意義是難以估量的。
為促進(jìn)碳基半導(dǎo)體界面科學(xué)與工程研究的發(fā)展,了解世界碳基半導(dǎo)體界面科學(xué)與工程研究前沿的最新進(jìn)展,加強(qiáng)各相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者之間的交流,促進(jìn)有關(guān)的研究平臺的建設(shè),全面推動(dòng)跨學(xué)科、跨領(lǐng)域的深入實(shí)質(zhì)性的合作,香山科學(xué)會議定于2010年11月2~4日在蘇州會議中心(蘇州中心大酒店)召開以“碳基半導(dǎo)體界面科學(xué)與工程”為主題的學(xué)術(shù)討論會,會議將邀請多學(xué)科跨領(lǐng)域的專家學(xué)者與會,圍繞(1)碳基半導(dǎo)體材料界面的基礎(chǔ)研究;(2)碳基半導(dǎo)體材料界面的性能調(diào)控;(3)碳基半導(dǎo)體器件界面工程等中心議題進(jìn)行深入討論。
會議執(zhí)行主席:
李述湯 教 授 蘇州大學(xué)
朱道本 研究員 中科院化學(xué)所
佟振合 研究員 中科院理化技術(shù)所
曹 鏞 教 授 華南理工大學(xué)
主題評述報(bào)告:碳基半導(dǎo)體的界面科學(xué)與工程,李述湯
中心議題評述報(bào)告:
1. 碳基半導(dǎo)體材料界面的基礎(chǔ)研究,萬立駿
2. 碳基半導(dǎo)體材料界面的性能調(diào)控,朱道本
3. 碳基半導(dǎo)體器件界面工程, 邱 勇
香山科學(xué)會議主張學(xué)術(shù)平等,鼓勵(lì)對原有理論提出質(zhì)疑,提倡發(fā)表不同意見和提出非常規(guī)的思考,并不一定要求達(dá)成共識。會議期望,在寬松的環(huán)境和多學(xué)科交叉的自由討論中,基于對已有進(jìn)展的總結(jié)和評論,展望未來的發(fā)展趨勢,剖析關(guān)鍵的科學(xué)前沿問題及其解決方法,探討學(xué)科新生長點(diǎn)。會議報(bào)告與自由討論時(shí)間大體為1:1~1.2。會議要求與會者在討論中言簡意賅,不宜過多展示過去已經(jīng)發(fā)表的成果,而以過去研究積累為基礎(chǔ),涵蓋最新信息,把握最新動(dòng)向,發(fā)表新的見解。
以共軛小分子/聚合物、石墨烯、富勒烯和碳納米管等為代表的碳基半導(dǎo)體材料和器件已形成一個(gè)由化學(xué)、物理、信息電子科學(xué)和材料科學(xué)等諸多學(xué)科相互交叉的新興研究領(lǐng)域,是目前國際上極具挑戰(zhàn)性的重要研究方向,也是納米科學(xué)研究中最為活躍的研究領(lǐng)域之一,特別是在能源的高效轉(zhuǎn)換、存儲和利用等方面展現(xiàn)出越來越重要的應(yīng)用前景。碳基半導(dǎo)體器件的性能主要取決于器件中關(guān)鍵界面的結(jié)構(gòu)和特性,特別是界面的電荷過程、光電轉(zhuǎn)換過程及化學(xué)行為?v觀碳基半導(dǎo)體材料和器件的研究歷程,每一次在界面特性研究中所取得的進(jìn)展,都給其器件應(yīng)用帶來新的突破和機(jī)遇。然而,碳基材料界面的基礎(chǔ)問題及界面性能調(diào)控的研究仍主要處于基礎(chǔ)研究階段,還有許多重大的科學(xué)問題亟待解決,而且這些問題決定和制約著碳基半導(dǎo)體材料和器件今后的實(shí)際應(yīng)用。因此,從界面科學(xué)與工程的角度,圍繞碳基材料界面的基礎(chǔ)科學(xué)問題、各種碳基半導(dǎo)體器件中的實(shí)際界面問題、以及界面性能調(diào)控等進(jìn)行研究,將會有助于碳基半導(dǎo)體器件的完善,加速實(shí)現(xiàn)多種碳基半導(dǎo)體器件的實(shí)際應(yīng)用,其意義是難以估量的。
為促進(jìn)碳基半導(dǎo)體界面科學(xué)與工程研究的發(fā)展,了解世界碳基半導(dǎo)體界面科學(xué)與工程研究前沿的最新進(jìn)展,加強(qiáng)各相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者之間的交流,促進(jìn)有關(guān)的研究平臺的建設(shè),全面推動(dòng)跨學(xué)科、跨領(lǐng)域的深入實(shí)質(zhì)性的合作,香山科學(xué)會議定于2010年11月2~4日在蘇州會議中心(蘇州中心大酒店)召開以“碳基半導(dǎo)體界面科學(xué)與工程”為主題的學(xué)術(shù)討論會,會議將邀請多學(xué)科跨領(lǐng)域的專家學(xué)者與會,圍繞(1)碳基半導(dǎo)體材料界面的基礎(chǔ)研究;(2)碳基半導(dǎo)體材料界面的性能調(diào)控;(3)碳基半導(dǎo)體器件界面工程等中心議題進(jìn)行深入討論。
會議執(zhí)行主席:
李述湯 教 授 蘇州大學(xué)
朱道本 研究員 中科院化學(xué)所
佟振合 研究員 中科院理化技術(shù)所
曹 鏞 教 授 華南理工大學(xué)
主題評述報(bào)告:碳基半導(dǎo)體的界面科學(xué)與工程,李述湯
中心議題評述報(bào)告:
1. 碳基半導(dǎo)體材料界面的基礎(chǔ)研究,萬立駿
2. 碳基半導(dǎo)體材料界面的性能調(diào)控,朱道本
3. 碳基半導(dǎo)體器件界面工程, 邱 勇
香山科學(xué)會議主張學(xué)術(shù)平等,鼓勵(lì)對原有理論提出質(zhì)疑,提倡發(fā)表不同意見和提出非常規(guī)的思考,并不一定要求達(dá)成共識。會議期望,在寬松的環(huán)境和多學(xué)科交叉的自由討論中,基于對已有進(jìn)展的總結(jié)和評論,展望未來的發(fā)展趨勢,剖析關(guān)鍵的科學(xué)前沿問題及其解決方法,探討學(xué)科新生長點(diǎn)。會議報(bào)告與自由討論時(shí)間大體為1:1~1.2。會議要求與會者在討論中言簡意賅,不宜過多展示過去已經(jīng)發(fā)表的成果,而以過去研究積累為基礎(chǔ),涵蓋最新信息,把握最新動(dòng)向,發(fā)表新的見解。
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